电子技术杂志社

摘要：阐述采用刻蚀ZnO牺牲层的方法将高质量的VO2单晶薄膜转移到硅基片上，并对其进行X射线衍射（XRD）分析和电学性能测试。转移前后的二氧化钒薄膜均具有良好的晶体质量，转移的VO2薄膜a轴长度缩短，c轴伸长，生长时的应变被释放。同时，转移前后相变电阻变化均可达三个数量级，转移后薄膜相变温度Tc比转移前稍高，约在341K，与块体单晶接近，转移过程对薄膜的影响几乎可以忽略。最后通过I-V测试验证转移VO2薄膜用于电控器件的可行性。

关键词： 电控器件;湿法转移工艺;薄膜制程;I-V测试验证;

专辑： 信息科技;工程科技Ⅰ辑;工程科技Ⅱ辑

专题： 材料科学;工业通用技术及设备

分类号： TB383.2

在线公开时间： 2025-05-18 11:15（知网平台在线公开时间，不代表文献的发表时间）