量子束缚效应对无结围栅纳米片NMOSFET耗尽区本征栅电容的影响分析
2025.05.19点击：
摘要：阐述采用Sentaurus TCAD对无结围栅纳米片NMOSFET耗尽区的本征栅电容仿真。通过对比分析包含与不包含量子束缚效应两种情况，研究了本征栅总电容、栅漏电容、栅源电容分别随沟道宽度、高度、掺杂浓度、栅源电压及漏源电压的变化规律。研究结果明确了量子束缚效应对本征栅电容特性的影响机制，所获结果可为无结围栅纳米片MOSFET耗尽区本征栅电容及相关电路提供量子修正依据。
关键词： 量子束缚效应;源/漏耗尽区;无结围栅纳米片MOSFET;本征栅电容;
基金资助： 浙江省教育厅科研项目（Y202456287）；
专辑： 信息科技
专题： 无线电电子学
分类号： TN386
在线公开时间： 2025-05-18 11:25（知网平台在线公开时间，不代表文献的发表时间）
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