单晶硅微米柱阵列湿法刻蚀工艺分析
2026.06.16点击：
摘要：阐述以（110）晶面硅为基底，通过掩膜生长、光刻、湿法刻蚀等工艺，制备出不同尺寸的硅微米柱阵列器件。探究了在同一掩膜尺寸下四种刻蚀时间对刻蚀效果的影响。结果表明，当刻蚀温度为70℃、刻蚀时长为150min时，刻蚀深度达最大值101μm。
关键词： (110)晶面硅;硅微米柱;湿法刻蚀;制备工艺;
专辑： 信息科技
专题： 无线电电子学
分类号： TN305.7
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