电子技术杂志社

摘要：阐述一种槽栅型4H-SiC MOSFET新结构（HJD-MOS），引入异质结和分离栅结构，改善了传统MOSFET（Conv-MOS）的第三象限特性和开关特性。该器件集成Si/SiC异质结二极管，在器件反向导通时可以先于传统MOSFET的体二极管导通，从而降低器件的反向开启电压，避免了双极退化效应。此外，通过引入分离栅减小栅极和漏极之间的耦合，降低栅漏电荷，从而改善了器件的开关特性。仿真结果表明，在相同参数下与传统MOSFET结构相比，其反向开启电压（VF）降低41.94%，开关损耗(ESW)减少了33.29%。

关键词： 4H-SiC MOSFET;异质结;分离栅;第三象限特性;开关损耗;

专辑： 信息科技

专题： 无线电电子学

分类号： TN386

在线公开时间： 2025-06-20 15:00（知网平台在线公开时间，不代表文献的发表时间）