电子技术杂志社

摘要：阐述基于0.18μm BCD工艺设计一种低温漂系数高PSRR的带隙基准电路。该电路在一阶温度补偿的基础上，使用三极管负温度系数的基极电流和构建的正温度系数电流进行相加得到的一低温段区间与温度成反比、高温段与温度成正比的电流；对一阶温度系数带隙基准电路进行二阶补偿，改善了基准的温度特性，实现了更低的温漂系数，且通过构建负反馈环路的方法提高基准的电源抑制比。仿真结果表明，在-40～150℃内温漂系数为3.8ppm/℃，低频下电源抑制比为116dB。

关键词： 带隙基准;电源抑制比;温度补偿;

专辑： 信息科技

专题： 无线电电子学

分类号： TN402

在线公开时间： 2025-05-18 10:12（知网平台在线公开时间，不代表文献的发表时间）