电子技术杂志社

摘要：阐述基于0.25μm GaN HEMT工艺平台，设计了一款8～12GHz 10W功率放大器MMIC。芯片采用三级放大拓扑结构，输出级采用电抗匹配，提高功放输出功率和效率。驱动级和输入级加入并联RC网络，提高功放稳定性。输入级采用有耗匹配，改善输入驻波。

关键词： X波段;GaN工艺;功率放大器;MMIC;

专辑： 信息科技

专题： 无线电电子学

分类号： TN722.75