电子技术杂志社

摘要：阐述后段顶层金属互联工艺是连接铝垫与层间金属层的中间层。根据设计规则，通孔通常着陆于下一层铜线上。在顶层通孔刻蚀的最后一步，需对刻蚀停止层保持一定的过刻蚀率，以确保停止层被完全刻蚀；在此过程中，下层铜会受轻微刻蚀，以保障连线畅通并防止开路/短路（O/S）失效。探讨后段金属互联层中特殊结构窗口引发的O/S失效良率损失问题。该金属互连层工艺包含以TiN MHM和AIO为代表的层间金属互联，以及以厚通孔和厚沟槽为代表的顶层金属互联。案例中，特殊结构的顶层厚通孔着陆于关键尺寸较小的金属层上，因光刻套刻精度与刻蚀方向偏移，导致顶层刻蚀无法完全着陆于设计层间金属，进而使厚通孔刻蚀后连接至下两层金属线，造成短路。针对该问题，提出厚通孔刻蚀工艺的优化方案，以解决良率损失。

关键词： Open/Short失效;Plasma;硅与碳化硅材料;等离子体刻蚀鞘层;

专辑： 信息科技

专题： 无线电电子学

分类号： TN405