电子技术杂志社

摘要：阐述在选用铜搭配低K值电介质作为后段金属互联的半导体工艺中，以硬掩模工艺（TiN MHM工艺）和AIO(All-in-One)刻蚀工艺为代表的层间金属互联工艺特点。该技术是决定铜线和通孔物理结构的关键制程。后续的顶层金属互联工艺属于连接铝垫与层间金属层的中间层。根据设计规则，通孔通常着陆于下一层的铜线上。在顶层通孔刻蚀中，最后一步对刻蚀停止层需保持一定的过刻蚀率，以确保停止层被完全刻蚀。在此过程中，下一层的铜会被轻微刻蚀，以保证连线畅通，并防止开路/短路（O/S）失效。

关键词： 集成电路制造;Over Polish缺陷;Dishing;Metal Bridge;大块Cu结构中有小块OX;

专辑： 信息科技

专题： 无线电电子学

分类号： TN405