面向HBM互联的电迁移可靠性与寿命预测模型分析
2026.09.11点击：
摘要：阐述面向HBM互联的电迁移可靠性与寿命预测模型，针对先进封装中完整的Cu pad-micro-bump-C4 bump-solder ball-substrate互连结构，基于JEDEC标准本研究定义直流电阻增加50%与100%两种失效判据，系统开展了电迁移加速实验。通过自主搭建的高温测试平台与电热耦合仿真，并结合Black方程MTTF模型进行寿命预测分析。
关键词： 电迁移;先进封装;最大过流能力;Black方程;MTTF模型;电热耦合;
专辑： 信息科技
专题： 无线电电子学
分类号： TN405
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