化合物半导体ICP刻蚀中的制程泵系统分析
2025.09.08点击：
摘要：阐述在集成电路制造工艺中，采用Cl2/BCl3作为刻蚀气体，ICP刻蚀GaN、GaAs、Ti/Al的物理、化学反应机理，以及其反应后的制程尾气成分Cl2、BCl3、BClxOy、AsCl5、TiCl4、AlCl3等有毒、腐蚀、水反应沉积堵塞管道的特性，分析该特性带来的制程真空泵系统宕机、维修成本高昂及安全事故风险。通过优化Local Scrubber选型、制程尾气管路伴热系统及增加涡流热氮系统使制程泵系统的维护周期由一周延长到6个月以上。
关键词： 集成电路制造;管式PECVD;电感耦合等离子体;特种气体;制程泵系统;加热夹克;涡流热氮系统;
专辑： 信息科技
专题： 无线电电子学
分类号： TN305.7
- 上一篇：SF6密度传感器热的仿真分析 2025/9/8
- 下一篇：一种基于迭代位同步的突发信号解调方法分析 2025/9/1