基于4μm双极工艺的高边电流检测放大器设计
2026.01.15点击:
摘要:阐述一款基于4μm双极工艺的高边电流检测放大器设计。该放大器增益可通过外部电阻调节,整体电路(启动偏置、输入级、中间级、输出级)采用BJT实现,具备低失调电压、低功耗和低输入偏置电流等特点。基于Cadence Spectre完成电路设计、仿真与版图设计。仿真结果表明,在12V供电条件下,典型值输入失调电压为-3.68μV,输入偏置电流为20.5nA,增益误差-0.52%,电源电流45μA,工作电压范围为2.3~40V。
关键词: 4μm双极工艺;高边电流检测放大器;低失调;
基金资助: 精密电流检测放大器设计技术研发课题(黔科合支撑[2024]一般024);
专辑: 信息科技
专题: 无线电电子学
分类号: TN722
- 上一篇:双色椭圆偏振激光场中的非序列双电离过程分析 2026/1/21
- 下一篇:级联型高压微秒脉冲电源设计 2026/1/15