电子技术杂志社

摘要：阐述针对55nm UTSL产品（超薄堆积-逻辑晶圆，Ultra Thin Stack-Logic）产品W/C(Wafer center，晶圆中心) Scan/Mbist(hard fail bin，通常与缺陷强相关)异常问题，通过缺陷扫描和TEM切片剖面等分析手段，发现W/C Scan/Mbist异常问题是由于存在特殊U型Poly结构区域多晶硅残留造成的，且多集中在AA（有源区，active area）区域。通过对Poly（多晶硅）刻蚀工艺及各膜层刻蚀机理的研究，发现BARC（底部抗反射层：Bottom Anti Reflective Coating）在特殊U形结构区域刻蚀速率偏慢和不同区域的厚度差异导致刻蚀工艺的窗口不足，是导致多晶硅残留的根本原因。因此减少BARC涂层厚度或增加Barc刻蚀的刻蚀量，结合前层不同结构Barc厚度管控，可以从根本上解决产品良率损失。

关键词： 集成电路制造;抗反射层;多晶硅残留;工艺窗口;W/C Scan/Mbist缺陷;

专辑： 信息科技

专题： 无线电电子学

分类号： TN405