陶瓷衬底材料（Al2O3,AlN,Si3N4）的制备工艺与封装界面相容性分析
2026.06.25点击：
摘要：阐述三种材料的核心物理化学特性及性能差异，分析其典型制备工艺的原理机制、技术优缺点及工业适配场景。探讨封装界面相容性的核心影响因素，包括热膨胀系数失配引发的应力累积、界面化学反应生成的脆性相、衬底表面状态及制备残留应力。提出衬底制备工艺优化方向与封装界面改性策略。
关键词： 陶瓷衬底;制备工艺;封装界面;
基金资助： 天津市教委科研计划项目（2024KJ128）；
专辑： 信息科技;工程科技Ⅰ辑
专题： 无机化工;无线电电子学
分类号： TN405;TQ174.6
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